FDG6316P

概述

这种P沟道1.8V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的低电压的PowerTrench过程。 电池电源管理应用进行了优化。

特点

-0.7一个，-12 V
R DS（ON）= 270 m宽的V GS = -4.5 V
R DS（ON）= 360 m宽的V GS = -2.5 V
R DS（ON）= 650 m宽的V GS = -1.8 V
低栅极电荷
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
紧凑型的行业标准采用SC70 - 6表面贴装封装

应用/框图（S）

电池管理
负荷开关

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