概述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench™过程中已特别定制,以尽量减少通态电阻和保持出色的开关性能。
特点
最大R DS(ON)= 23MΩ在V GS = 10V,I D = 7A
最大R DS(ON)= 36MΩ在V GS = 6V,I D = 5.5A
薄型 - 1毫米最大功率33
100%UIL的测试
符合RoHS标准
应用/框图(S)
直流 - 直流转换
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入: 润百年@电源管理IC
(RCC),电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有,未经批准不得复制。