FDS4675_F085

概述

这P沟道MOSFET是一个坚固的门版本飞兆半导体先进的PowerTrench过程。 它一直要求给驱动器的额定电压（4.5V - 20V）的宽范围电源管理应用进行了优化。

特点

-11，-40 V

R DS（ON）= 0.013 W @ V GS = 10 V

R DS（ON）= 0.017 W @ V GS = -4.5 V

开关速度快
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
高功率和电流处理能力
合格的AEC Q101
符合RoHS标准

应用/框图（S）

电源管理
负荷开关
电池保护

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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