概述
FDS6900AS是设计来代替两个单独的SO - 8 MOSFET和肖特基二极管的同步DC:提供各种外围电压为笔记本电脑和其它电池供电的电子设备的直流电源。 FDS6900AS包含两个独特的30V,N沟道逻辑电平,旨在最大限度地提高电源转换效率的PowerTrench MOSFET的。
高边开关(Q1)的设计特别强调减少开关损耗,而低边开关(Q2)进行了优化,降低传导损耗。 第二季度还包括一个集成的肖特基二极管,使用飞兆半导体的单片SyncFET技术。
特点
2:优化,以尽量减少传导损耗包括SyncFET的肖特基身体二极管
8.2A,30V
的R DS(ON)=22米W @ V GS = 10V
的R DS(ON)=28米W @ V GS = 4.5V
1:优化低开关损耗低栅极电荷(11nC典型)
6.9A,30V
的R DS(ON)=27米W @ V GS = 10V
的R DS(ON)=34米W @ V GS = 4.5V
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