概述
这些双P沟道逻辑电平增强型MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程,已特别定制,以最大限度地减少通态电阻。 本装置已设计,尤其是更换为数字双极晶体管和小信号MOSFET的低电压应用。
特点
- 0.5A,- 20V
R DS(ON)= 780 m宽的V GS = 4.5V
R DS(ON)= 1200 m宽的V GS = 2.5V
非常低的水平栅极驱动的要求,允许直接操作在3V 电路(VGS(TH)< 1.5V)
紧凑型的行业标准采用SC70 - 6表面贴装封装
应用/框图(S)
DC / DC转换器
负载开关
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