FDS6890A

概述

这些N沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。

特点

7.5一个，20五，R DS（ON）= 0.018 W @ V GS = 4.5 VR的RDS（ON）= 0.022 W @ V GS = 2.5 V 。
低栅极电荷（23nC典型）。
开关速度快。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
高功率和电流处理能力。

应用/框图（S）

DC / DC转换器
马达驱动器

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