FDD8778

概述

已专此N沟道MOSFET，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷，低R DS（ON）和快速开关速度。

特点

最大R DS（ON）=14.0mΩ在V GS = 10V，I D = 35A
此N沟道MOSFET的最大 R DS（ON）已专门，以改善整体效率直流/直流转换器，使用同步或常规的开关PWM控制器。 它已被优化的低栅电荷，低R DS（ON）和快速开关速度。 =21.0米？ 在V GS = 4.5V，I D = 33A条
低栅极电荷Q G（TOT）= 12.6nC（典型值），V GS = 10V
低栅极电阻
符合RoHS标准

应用/框图（S）

台式电脑和服务器的DC - DC
VRM为中间总线架构

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