概述
FDS6676AS是设计来取代单一的SO - 8 MOSFET和肖特基二极管的同步DC:直流电源。 这30V MOSFET,旨在最大限度地提高电源转换效率,提供一个低RDS(ON)和低门电荷。 FDS6676AS使用飞兆半导体的单片SyncFET技术,包括集成肖特基二极管。
特点
14.5A,30V
的R DS(ON)=6.0米W @ V GS = 10V
的R DS(ON)=7.25米W @ V GS = 4.5V
包括SyncFET的肖特基身体二极管
低栅极电荷(45nC典型)
高性能沟槽技术, 极低的R DS(ON)和快速开关
高功率和电流处理能力
应用/框图(S)
DC / DC转换器
低端笔记本
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