概述
此设备是专门为在蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关的单一封装解决方案。 它具有两个独立的P沟道MOSFET与低通态电阻最低的导通损耗。 在典型的共同源配置连接时,双向电流流是可能的。
这些MicroFET 2X2封装提供了卓越的物理尺寸的散热性能和线性模式的应用程序非常适合。
特点
最大R DS(ON)=72mΩ,在V GS = 4.5V,I D = 3.7A
最大R DS(ON)=95mΩ,在V GS = 2.5V,I D = 3.2A
最大R DS(ON)=130mΩatV GS = 1.8V,I D = 2.0A
最大R DS(ON)=195mΩ,在V GS = 1.5V,I D = 1.0A
低调,在新封装的MicroFET的2x2毫米 - 0.8毫米最大 -
HBM ESD保护水平> 2kV的典型(注3)
符合RoHS标准
无卤素化合物和氧化锑
应用笔记
AN - 0953:大会的MicroFET 2X2包装准则 “(133 K)2011年8月05,
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入: 润百年@电源管理IC
(RCC),电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有,未经批准不得复制。