FDS4465

概述

这种P沟道1.8V指定的MOSFET是一个坚固的门版本飞兆半导体先进的PowerTrench过程。 它已被优化的栅极驱​​动电压范围广（1.8V - 8V）电源管理应用。

特点

-13.5，-20五
的R DS（ON）=8.5米W @ V GS = - 4.5V
的R DS（ON）=10.5米W @ V GS = - 2.5V

的R DS（ON）=14米W @ V GS = - 1.8V
开关速度快
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
高电流和功率处理能力

应用/框图（S）

电源管理
负荷开关
电池保护

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