FDMS8460

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽®过程吴丹已特别针对降低通态电阻，同时保持出色的开关性能。

特点

最大R DS（ON）=2.2MΩ在V GS = 10V，I D = 25A
最大R DS（ON）=3.0mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 21.7A
先进的封装和硅结合低R DS（ON）
MSL1健壮的包装设计
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

直流 - 直流转换

应用笔记

AN - 9036：飞兆半导体Power56 （435 K）2011年8月05，使用准则

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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