FDMA430NZ

概述
这单N沟道MOSFET的设计采用了飞兆半导体先进的功率沟槽过程特殊的MicroFET引线框架，以优化的 R DS（ON）@ V GS = 2.5V 。

特点
的R DS（ON）=40mΩ，V GS = 4.5V，I D = 5.0A
的R DS（ON）=50MΩ@ V GS = 2.5V，I D = 4.5A
0.8毫米薄型最大的新封装的MicroFET的2x2毫米
HBM ESD保护水平> 2.5K V典型值（注3）
符合RoHS标准

应用/框图（S）
锂离子电池

应用笔记
AN - 0953：大会的MicroFET 2X2包装准则 “（133 K）2011年8月05，

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