FDG1024NZ

概述
这双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，尤其是量身定制，以最大限度地减少通态电阻。 本装置已设计，尤其是作为替代双极数字晶体管和小信号MOSFET的低电压应用。 由于不需要偏置电阻，这双数字FET可以代替几个不同的数字晶体管，不同的偏置电阻值。

特点
最大R DS（ON）= 175 MO在V GS = 4.5V，I D = 1.2一个
最大R DS（ON）= 215 MO在V GS = 2.5V，I D = 1.0
最大R DS（ON）= 270 MO在V GS = 1.8V，I D = 0.9一个
最大R DS（ON）= 389 MO在V GS = 1.5 V，I D = 0.8一个
HBM ESD保护水平> 2千伏（注3）
非常低的水平栅极驱动的要求，允许操作在1.5 V 电路（VGS（TH）<1 V）
非常小的封装外形采用SC70 - 6
符合RoHS标准

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