概述
这些双P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的,高细胞密度,DMOS技术。 这非常高的密度过程,尤其是量身定制,以最大限度地减少通态电阻。 本装置已设计,尤其是更换为数字双极晶体管和小信号MOSFET的低电压应用。
特点
-25 V,-0.41一个连续的,-1.5高峰。 R DS(ON)= 1.1 W @ V GS = -4.5 V,R DS(ON)= 1.5 W @ V GS = -2.7 V 。
非常低的水平栅极驱动的要求,允许在3伏电路(VGS(TH)<1.5 V)的直接操作。
门源齐纳ESD坚固性(> 6kV的人体模型)。
紧凑型的行业标准采用SC70 - 6表面贴装封装。
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