FDC6310P

概述
这些P沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能低栅极电荷。

这些设备都被设计提供出色的功耗，在一个更​​大更昂贵的SO - 8和TSSOP - 8封装是不切实际的应用程序非常小的足迹。

特点
-2.2一个，-20 V。
的R DS（ON）=125米W @ V GS = -4.5 V

的R DS（ON）=190米W @ V GS = -2.5 V
低栅极电荷
开关速度快
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
SuperSOT™-6包：小尺寸比标准SO - 8小72％;低调（1mm厚）

应用/框图（S）
负荷开关
电池保护
电源管理

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。