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描述
结合的独特的性能FDFS2P106A飞兆半导体的PowerTrench MOSFET技术与极低的电压降的肖特基整流器提出在一个SO-8包裹。
该设备是专门设计作为一个单一的整体包装解决方案为DC直流转换器。它的特点是快速切换、低门电荷场效应晶体管导通状态极低阻力。独立地连接置肖特基二极管作则允许其使用在各种各样的DC / DC变换器拓扑结构。
特征
但-3.0A V,
- 关系型数据库(在)= - = 110 mW@ VGS V
- 关系型数据库(在)= = -4.5 140兆瓦@ VGS V
VF < 0.45(研究1 V @ 125°C)=
VF < 0.53 V @一VF < 0.62 V @ 2条
肖特基和MOSFET纳入单个电源表面贴装SO-8包裹
pinout肖特基和场效应晶体管电独立设计的灵活性 全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价------------------------------------------------------------------------------------------
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