FDFMA2P857-综合P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管- 20V的，- 3.0A的，120mohm -润百年,FAIRCHILD代理,库存供应商

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产品型号：
FDFMA2P857

产品名称：综合P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管- 20V的，- 3.0A的，120mohm

生产厂商：FAIRCHILD

封装类别：QFN6

产品批号：10+

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描述

该设备是专门设计作为一个单一的整体包装解决方案为电池充电开关在手机和其他ultra-portable应用。它的特点是能够以较低的场效应晶体管导通状态阻力和独立连接低正向电压置肖特基二极管作最低传导损失。

它的MicroFET套装提供特殊热工性能对它的物理尺寸和都适合线性模式应用程序。

特征

马克斯关系型数据库(在)= - = 120mΩ4.5V在VGS,身份证= - 3.0A

马克斯关系型数据库(在)= - = 160mΩ2.5V在VGS,身份证= - 2.5A

马克斯关系型数据库(在)= - = 240mΩ1.8V在VGS,身份证= - 1.0A

肖特基:

VF < 0.54V @ 1A

低轮廓- 0.8毫米最大-在新包装,它MicroFET毫米

RoHS柔顺

全新原装进口，现货库存，欢迎来电询价
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