FDFMA2P853

描述

该设备是专门设计作为一个单一的整体包装解决方案为电池充电开关在手机和其他ultra-portable应用。它的特点是能够以较低的场效应晶体管导通状态阻力和独立连接低正向电压置肖特基二极管作最低传导损失。

它的MicroFET套装提供特殊热工性能对它的物理尺寸和都适合线性模式应用程序。

特征

• 关系型数据库(在)= = -4.5 120 mΩ@ VGS V
• 关系型数据库(在)= = -2.5 160 mΩ@ VGS V
• 关系型数据库(在)= = 240 mΩ-1.8 @ VGS V

VF < 0.46 V @ 500麻

• 负荷低轮廓- 0.8毫米-在新包装,它MicroFET毫米
• RoHS柔顺