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描述
结合了非同一般的表现的FDFM2N111飞兆半导体的PowerTrench MOSFET技术与极低的电压降的肖特基整流器提出在MicroFET包裹。
该设备是专门设计作为一个单一的整体包装解决方案为标准巴克转换器。它的特点是快速切换的费用、低门以极低的onstate场效应晶体管的抵抗。
特征
4、20 V
- 关系型数据库(在)= = 100兆瓦@ 4.5 V器
- 关系型数据库(在)= 1.5 mW @ VGS = 2.5 V
低调0.8毫米的最大新的包装MicroFET三三毫米
应用程序/框图
标准巴克转换器 全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价-----------------------------------------------------------------------------------------
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