FDD6770A

概述

已专此N沟道MOSFET，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷，低R DS（ON）和快速开关速度。

特点

最大R DS（ON）
= 4.0mΩat，V GS = 10V，I D = 24一个
最大R DS（ON）= 8.0MΩ在V GS = 4.5V，I D = 18.4一
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

台式电脑和服务器的核心电压的DC - DC
VRM为中间总线架构

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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