FDC855N

概述

这N沟道逻辑电平MOSFET是低压和电池供电应用的高效的解决方案。 利用飞兆半导体先进的PowerTrench ®过程中，该装置具有通态电阻的最小化来优化功耗。 他们是理想的线路功率损耗是关键的应用场合。

特点

最大R DS（ON）=27mΩ，在V GS = 10V，I D = 6.1A
最大R DS（ON）=36mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 5.3A
SuperSOT™-6包：占地面积小（72％小于标准SO - 8;低调（1mm厚）。
符合RoHS标准

应用/框图（S）

在笔记本电脑的电源管理，硬盘驱动器

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。