FAN3278门的双重1.5A司机驾驶高端的优化设计提供了一种low-side场效应晶体管和P-channel在电机控制应用程序的N-channel MOSFET操作从一个电压27V轨道上。内部电路的电压范围之门,13伏特的外部mosfet最大值。司机有TTL输入缓冲区和水平阈值及提供翻译从逻辑的投入。防止内部电路输出开关器件,从现场工作如果低VDD的电源电压低于IC的运行管理水平。该用户内部100kΩ电阻器偏见产量低和反向输出VDD来保持外部mosfet了启动过程逻辑控制信号的时间间隔时可能不在场的人。
FAN3278 MOSFET器件的驱动程序包含了为最后的输出阶段,提供高电流在整个MOSFET刺激/让人讨厌的过渡到减少开关损耗。监管机构的内部gate-drive提供最佳gate-drive电压操作时,从一个轨道的27V 8V。FAN3278可以驱动的从一个电压低于8V轨道的;然而,它们的栅极驱动电流降低。
有两个独立的FAN3278别针,默认为上使如果没有接上。如果启用密码用户通道都有一个被拉低,OUTA被迫低。如果启用密码反向信道B被拉低,OUTB被迫高。如果一个输入,剩下的都是不连贯,内部电阻器倾向,外部输入的mosfet的更好。