TPS51916

说明
TPS51916提供完整的电源为DDR2，DDR3和DDR3L内存系统中最低的总成本和最小的空间。它集成同步降压稳压控制器（VDDQ的）2-SINK / SOURCE LDO跟踪（VTT）和缓冲的低噪声基准（VTTREF）。 TPS51916采用的D-CAP™模式，再加上kHz/400300千赫频率为易于使用和快速的瞬态响应，再加上更高的频率500 kHz载波kHz/670陶瓷输出电容器无需外部补偿的D-CAP2™模式电路。该VTTREF追踪优异的0.8％的精度内为VDDQ / 2。自行车，它提供2 A的峰值电流漏/源能力，只需要10-uF的陶瓷电容。

特性
同步降压控制器提供VDDQ
转换的电压范围：3 V至28 V
输出电压范围：0.7 V至1.8 V的
VREF的0.8％精度
第可选择ArchitectureD快速瞬态陶瓷电容器的回复CAP2模式输出模式控制
可选的300千赫/ 400千赫/ 500千赫/670 kHz的开关频率
自动跳过功能的轻，重载荷的优化效率
S4/S5国家支持软关机
八达通/ OVP / UVP/欠压锁定保护
POWERGOOD输出
2 A LDO（VTT）的缓冲参考（VTTREF）
2 A（峰值）和吸收电流
只需要10 uF的陶瓷输出电容
缓冲，低噪声，10 mA输出VTTREF的
0.8的％VTTREF，20毫伏的VTT精度
在S4/S5支持高阻S3和软关机
热关断
20引脚，3毫米×3毫米QFN封装

全新原装进口，现货库存，欢迎来电询价
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