TPS51640A

说明
TPS51640A，TPS59640 TPS59641和是含有2个集成栅极驱动器的双通道，完全符合的SVID的IMVP-7降压控制器。高级的控制特性，例如D-CAP+的具有重叠脉冲支持（下冲衰减，USR）和上冲衰减（OSR）的架构提供快速响应时间，最低的; output电容和高效率。所有这些控制器还支持针对轻负载的单相位差运行。完全免费附赠的IMVP-7的I / O被集成到：包括双PGOOD信号，警示VR_HOT和的控制器内。的VCORE转换变动百分和电压差配置的可控性使IMVP-7的特性更加丰富。此外，控制器的CPU的通道包括2个高电流FET的栅极驱动器来驱动具有非常高速和极低开关损失的高侧和低侧通道的N-FET晶体管。TPS51601或者TPS51601A驱动器用于CPU + GPU和通道的第三相位差。

TPS59640 TPS51640A和上的启动电压差（VBOOT）为0V。TPS596411.1伏特专门设计为的VBOOT电平。

这些控制器封装在一个节省空间，耐热增强型48引脚的QFN封装封装内。TPS51640A运行温度范围从-10°C105°C间至。TPS59640 TPS59641和额定运行温度范围为-40°C105°至C。

特性
符合英特尔（Intel）的IMVP-7串行VID（SVID的）
支持和CPU的GPU输出
一个CPU通道相位，相位，或者相位
单相位的GPU通道
包括数字电流监控在内的完全IMVP-7特性集
0.250V1.52V至; output电压差的8位DAC，
轻量级负载与重负载下的优化效率
的VCORE过冲衰减（OSR）
的VCORE下冲衰减（USR）
精确的，可调电压配置
每通道8个独立频率选择（的CPU / GPU的）
正在申请专利的自动平衡™相位差平衡
可选8级电流限制
28V3V至转换电压范围
2个具有集成升压场效应晶体管（FET），FET的集成快速驱动器
针对与的DrMOS器件一起使用时的内部驱动器旁通模式
小型6×6.48引脚，方形无引脚扁平封装（QFN），POWERPAD封装

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