TPS51116

说明
该TPS51116提供为DDR/SSTL-2，DDR2/SSTL-18的一个完整的电源供应，DDR3内存系统。它的同步降压控制器集成与3-A汇/源的跟踪线性稳压器和缓冲的低噪声参考。 TPS51116提供的溢价空间的系统中最低的总成本的解决方案。 TPS51116同步控制器运行固定的400kHz的PWM频率自适应控制时间，可以在配置的D-CAP模式的易用性和快速的瞬态响应，或在当前时尚的陶瓷输出电容器到中等伪稳定的一年。 3-SINK / SOURCE LDO的瞬态响应保持快速要求仅20（2×10 UF）UF的陶瓷输出电容。此外，LDO的电源输入是外部显着降低总功率损失。

特性
同步降压控制器提供VDDQ
宽输入电压范围：3.0 V至28 V
的D-CAP™100-NS负载阶跃响应模式
电流模式选项支持陶瓷输出电容器
S4/S5国家支持软关机
电流检测从RDS（ON）或电阻
2.5 V（DDR），1.8 V（DDR），可调至1.5 V（DDR3内存）或0.75 V至3.0 V输出范围
配备电源良好，过压保护和欠压保护
3 A LDO（VTT）的参考电压（VREF）缓冲
能吸收和源三。
LDO的输入可用于优化功耗
要求只有20 uF的陶瓷输出电容
缓冲的低噪音10毫安VREF输出
精度±20 mV的两个VREF和VTT
支持高Z在S3和软关在S4/S5
热关断
应用
DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3内存电源供应器
SSTL-2，SSTL和HSTL-18终止

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