TPS28225-Q1

说明
TPS28225-Q1的是一个提供高效，小尺寸低电磁干扰（EMI）的的解决方案。

由内部二极管充电的自举电容器允许在半桥配置中使用的N-通道MOSFET的。

此关断模式避免了来自反向输出电压的负载。

其它的特性包括欠压闭锁，历史文化名城武汉关断和双向使能/电源正常信号。

此驱动器额定拓展温度范围为-40°ç至105°C间，绝对眼霜依赖结温为105°C间。除了input;欠压的闭锁，TPS28226-Q1的的工作方式相关的例句TPS28225-Q1一样。除非另外注明，所有对于TPS28225-Q1的的参考也适用于TPS28226-Q1。

特性
符合汽车应用要求
驱动2个自适应死区时间为14ns的的N-通道MOSFET的
宽栅极驱动电压范围：4.5V到最高8V，7V到8V间效率最佳
宽电源系统输入电压：3V到最高27V
宽输入脉宽调制器（PWM）信号：2.0V到最高13.2V振幅
能驱动每相位电流值≥40A的MOSFET的
高频运行：14ns广播延迟和10ns的上升/下降时间允许搅拌摩擦焊 - 2兆赫
支持传播延迟<30ns的的输入的PWM脉冲
低侧驱动器导通电阻（0.4Ω）防止与电压差上升变动百分（DV / DT）相关击穿电流
用于电源级关断的3态PWM的输入
为了节省空间，实现使能（输入）和电源正常（输出）信号在同一引脚上
热关断
欠压闭锁（UVLO），保护
内部自举二极管
经济型小外型尺寸集成电路（SOIC）; 8引脚和耐热增强型3毫米x 3mm的封装
是当下流行的3作者：刘玉成，input;驱动器的高性能替代产品

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