TPS1100

说明
TPS1100是单P沟道增强型MOSFET。该设备已被优化为3 V或5 V电源电池供电系统中的分布手段的德州仪器LinBiCMOSTM过程。 -1.5 V和IDSS的只有0.5微安，最大的VGS（次），TPS1100是理想的高边开关为低电压，便携式电池管理系统，最大限度地延长电池寿命是一个主要问题。低RDS（ON）和出色的交流特性（上升时间10 ns典型值），使TPS1100低压开关应用，如脉冲宽度调制（PWM）控制器或马达/桥式驱动器的电源开关的合乎逻辑的选择。

适合的地方，其他的P-沟道MOSFET不能收缩的超薄薄小外形封装或TSSOP（PW）的版本，其更小的体积和降低高度。


特性
低RDS（on）。 。 。在VGS =-10 V〜0.18典型
3 V兼容
不需要外部VCC
TTL和CMOS兼容输入
VGS（TH）= -1.5 V最大
可用在超薄TSSOP封装（星期三）
高达每MIL-STD-883C方法3015千伏ESD保护