STM6505

描述

有两个结合STM6502复位输入(SR0and聪明SR1)与延期聪明复位设置的时间(tSRC)程序由一个外部电容器在SRC的密码。

STM6503类似于STM6502聪明,有两个组合延迟,SR1重置输入(SR0)和三个用户可选择设置时间延迟聪明(tSRC重置期权的2秒)、6s和10个s通过three-state TSR输入条:当被接上地,tSRC = 2秒;当敞开的,tSRC = 6s;当连接VCC,tSRC = 10 s(所有的时间是最低)。

有两个独立的聪明STM6504重置的投入。SR0provides复位设置时间延迟聪明(tSRC)功能通过three-state三个用户可选择的tSRCoptions TSR输入条:当被接上地,tSRC = 2秒;当敞开的,tSRC = 6s;当连接VCC,tSRC = 10 s(所有的时间是最低)。都是即时复位。edge-triggered是是用一种特殊的debounce时间(tDEBOUNCE = 240分钟。)女士下降沿一个有效的复位后的时期。

有两个结合STM6505复位输入(SR0延迟聪明,SR1)和提供了一个可调复位延时启动时间通过一个外部电容器连接到SRC的密码。这RSToutput也依赖于VCCmonitoring阈值。STM6505也提供独立的低电池检测(BLD)输出控制的外部输入电压VBAT次要。VBATis监测提供了一种迹象,低电压,低检出电池输出销钉(BLD)。VBATthreshold是1.25 V,固定的,和一个外部电阻分压器是被用于设置实际电池电压阈值。VBATthreshold迟滞是8 mV打字。mV马克斯。(16)。输入电压监测VBATis只,这种装置是动力;VCCmust仅仅从VCCpin≥1.575 V是VBATcomparator的正常运行。

主要特点

重置按钮操纵输入双聪明与延长复位设置的延误

可调tSRC复位设置延迟(聪明):通过外部电容器或three-state逻辑(产品选项):tSRC = 2、6、7、8、10个s(分钟。)

Power-on重置

active-low单RSToutput,高,

Factory-programmable监控VCCin阈值的范围,4.625 V 1.575打字。

1.0 V(active-low操作电压输出有效)到5.5 V

供应电流低

工作温度- 40°C:工业品位到+ 85°C

TDFN8包装:2毫米×2毫米×0.75毫米

全新原装进口，现货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理芯片 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。