SM74101

说明
MOSFET栅极驱动SM74101提供高峰微小的LLP-6封装（SOT23封装相当于足迹）通过改进高频运行所需的电力损耗，栅极驱动电流。复合输出驱动阶段包括MOS和双极晶体管并行操作一起沉入比容性负载7A峰值。 MOS和双极型器件可以减少驱动电流电压和温度变化相结合的独特的特征。欠压锁定保护，以防止损坏MOSFET的栅极导不足电压。 SM74101提供相和反相输入反相和非反相与一个单一的设备类型的栅极驱动非满足要求。

特性

可再生能源等级
复方CMOS和双极输出减少输出电流的变化
sink/3A7A电流源
快速传播时间25纳秒（典型）
快速上升和下降时间（14 ns上升ns/12/2 nF的负载秋天）
反相和非反相输入提供一个单一的设备配置
提供欠压锁定轨保护
单电源或分电源供电专用输入地（IN_REF）
增强的电源6针LLP封装（3.0毫米x3.0毫米）
输出摆幅从VCC VEE的，可以是负相输入地

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