SI4542DY

概述

这种互补MOSFET器件采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。

特点

问题1：N沟道
6〜30 V
的R DS（ON）= 28MΩ@ V GS = 10V
的R DS（ON）= 35MΩ@ V GS = 4.5V
问题2：P通道
-6甲，-30 VR DS（ON）= 32MΩ@ V GS = 10V
的R DS（ON）= 45MΩ@ V GS = 4.5V

应用/框图（S）

DC / DC转换器
电源管理

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