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G3VM-21LROMRONDIP10+11+19000全世界最小SSOP封装,实现C*R=5PF.Ω的新型MOSFET继电器负载电压20V型欧姆龙MOSFET继电器g3vm-21lr特点如下特别注重高频特性的输出端子容量=1PF(标准)种类接点结构端子...

G3VM-21GR1(TR) OMRONDIP10+11+16000低实现低C*R=5PF.Ω的新型MOSFET继电器负载电压20V型欧姆龙MOSFET继电器,g3vm-21lr特点如下抑制输出信号衰减的导通电阻=1Ω的标准开路时漏电流1.0nA(最大)种类接点结构... 搜索G3VM-21GR1(TR) 图片

G3VM-21GR1OMRONDIP10+11+27000低实现低C*R=5PF.Ω的新型MOSFET继电器负载电压20V型欧姆龙MOSFET继电器,g3vm-21lr特点如下抑制输出信号衰减的导通电阻=1Ω的标准开路时漏电流1.0nA(最大)种类接点结构...

G3VM-21GR(TR) OMRONDIP10+11+12900低实现低C*R=5PF.Ω的新型MOSFET继电器负载电压20V型欧姆龙MOSFET继电器g3vm-21gr特点如下特别注重高频特性的输出端子容量=1PF（标准）开路时漏电流1.0nA(最大)种类接... 搜索G3VM-21GR(TR) 图片

G3VM-21GROMRONDIP10+11+25000低实现低C*R=5PF.Ω的新型MOSFET继电器负载电压20V型欧姆龙MOSFET继电器g3vm-21gr特点如下特别注重高频特性的输出端子容量=1PF（标准）开路时漏电流1.0nA(最大)种类接...

G3VM-21LR1(TR)OMRONDIP10+11+29000世界最小※SSOP封装实现低C×R=5pF·Ω的新型MOSFET继电器负载电压20V型欧姆龙MOSFET继电器g3vm-21lr1特点如下●抑制输出信号的减弱，导通电阻=1Ω(标准)。※2010年8... 搜索G3VM-21LR1(TR)图片

G3VM-21LR1OMRONDIP10+11+57000世界最小※SSOP封装实现低C×R=5pF·Ω的新型MOSFET继电器负载电压20V型欧姆龙MOSFET继电器g3vm-21lr1特点如下●抑制输出信号的减弱，导通电阻=1Ω(标准)。※2010年8...

G3VM-21HR(TR)OMRONDIP10+11+29000实现了堪比机械式继电器的低导通电阻20mΩ!SOP型、实现大电流2.5A开闭的MOSFET继电器欧姆龙MOSFET继电器型号g3vm-21hr特点如下●连续负载电流2.5A（C连结5A）。●输入输出... 搜索G3VM-21HR(TR)图片