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SIPMOS功率晶体管(P沟道增强模式的逻辑电平雪崩额定dv / dt的评价)
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N沟道增强型垂直?- MOS晶体管
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SIPMOS小信号晶体管(N通道增强模式逻辑层次额定雪崩
BSP320S
INFINEON
SOT-223
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SIPMOS小信号晶体管(N通道增强模式雪崩额定)
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SIPMOS小信号晶体管
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SIPMOS小信号晶体管(N通道增强模式的逻辑电平)
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SIPMOS功率晶体管(P沟道增强型雪崩额定dv / dt的评价)
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Infineon
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SIPMOS小信号晶体管(N通道增强模式)
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infineon
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SIPMOS小信号晶体管(N通道增强模式的逻辑电平)
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SIPMOS小信号晶体管(N通道增强模式)
BSP318S
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SOT-223
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SIPMOS小信号晶体管(N通道增强模式的逻辑电平雪崩额定)
BSP300
INFINEON
SOT223
09+10+
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SIPMOS小信号晶体管(N通道增强模式雪崩额定)
BSP296
INFINEON
SOT223
10+
16900
SIPMOS小信号晶体管(N通道增强模式的逻辑电平)
BSP123
INFINEON
SOT-223
10+
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SIPMOS小信号晶体管(N通道增强模式的逻辑电平)
IPB180N04S3-02
INFINEON
PG-TO263-7
09+10+
19000
Single: N-Channel 30V MOSFETs; Package: PG-TO263-7; Technology: OptiMOS™-T2; VDS (max): 30.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 1.05 mOhm; ID (max): 180.0 A; RthJC (max): 0.8 K/W;
IPB160N04S2L-03
INFINEON
PG-TO263-7-
09+10+
39000
的OptiMOS㈢ -笔电晶体管
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INFINEON
TO-263
09+10+
19000
高电流通知书半桥
BTS7811
Infineon
TO263
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35000
TrilithIC
BTS7971
INFINEON
SOP
09+10+
26000
高电流通知书半桥NovalithIC 68甲,7mз9mз典型
BTS7960
INFINEON
SOP
09+10+
18000
高电流通知书半桥NovalithIC 43条,第7mз9mз
BTS7810
INFINEON
TO-263
09+10+
35000
TrilithIC
BTS7970
infineon
SOT-263-7
09+
25000
高电流通知书半桥NovalithIC 68甲,7mз9mз典型。
BTS7930
INFINEON
TO263-7
10+
25000
高电流通知书半桥NovalithIC 30甲,10mз18mз典型。
TLE4252
INFINEON
TO252
09+10+
10000
跟踪调节
BTS3160
INFINEON
SOT-252
09+10+
25000
高边/低边开关,驱动器,接收器
BTS244
infineon
TO-220 5
09+
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速度TEMPFET(N沟道增强模式的逻辑电平输入潜力与特色的自由晶闸管温度传感器)
BTS141
INFINEON
TO-263
10+PBF
8000
高边/低边开关,驱动器,接收器
BTS3207
INFINEON
TO-223
09+10+
9000
智能Lowside电源开关
BTS3134
Infineon
SOT223
09+10+
6900
智能Lowside电源开关
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