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产品型号:

RFD12N06RLESM

产品名称:60V N沟道逻辑电平UltraFET PowerMOSFET
生产厂商:Fairchild
封装类别:TO-252
产品批号:10+11+
产品单价:    
库存数量:有库存
运费详情:国内快递包邮,国际快递包邮
付款方式:支付宝,微信,网银支付,公司美金账户
本站搜索:RFD12N06RLESM
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相关描述:

特点
超低导通电阻
R DS(ON)= 0.063,V GS = 10V
R DS(ON)= 0.071,V GS = 5V
仿真模型
温度补偿的PSPICE ®和马刀©电气模型
香料和马刀©热阻抗模型
峰值电流和脉冲宽度曲线
统计研究所的评价曲线
开关时间与ř GS曲线

 

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后20个产品:FDS5680 FQP12P20 NDT454P FDC6318P FQP17P10 FQB6N80 FQPF2N80 FCH47N60F FQP6N40CF FDD8896_F085 FQPF9P25 FQD3N60CTM_WS FQP5N60C FQPF2N60C FDB047N10 FDMS7670AS FQP19N20 FDP51N25 FQPF19N20 FDB3652_F085 FDP120N10 HUF75545P3 
前20个产品:FDMC7664 FDD8444_F085 FQP17N40 FCPF13N60NT FDL100N50F FDB088N08 FQD19N10 FQD5N60C FDD8878 FDD16AN08A0 FDS6670AS FDMS7660AS FDS4141 HUFA75307T3ST HUF75345P3 2N7000BU FDD5670 FDMA1024NZ FQP22N30 FQU5P20 FQP24N08 FQD3P50 
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