PM6670AS

说明

该装置是一个完整的DDR2 PM6670AS / 3电源稳压设计，符合JEDEC规格。

它集成了一个固定导通时间（COT）降压控制器，2 APK的汇/源的低辍学稳压器和一个15毫安的低噪声缓冲基准。

该胶辊结构，保证了快速瞬态响应，同时支持电容和陶瓷输出电容器。 集成的嵌入式控制回路的直流电压误差补偿由于输出纹波。

2 apk文件汇/源线性稳压器提供了快速的负载瞬态响应，存储器终端电压。

该设备完全与系统睡眠状态S3和S4/S5标准，提供挂起到RAM和跟踪排放在挂起到磁盘上的所有输出LDO的输出高阻抗。

主要特点

    开关部分（提供VDDQ）
        4.5 V至36 V输入电压范围
        0.9伏，± 1％电压基准
        1.8伏（DDR2内存）或1.5伏（DDR3内存）固定输出电压
        0.9 V至2.6 V的可调输出电压
        1.237伏± 1％基准电压使用
        非常快的负载瞬态响应利用固定导通时间控制回路
        没有R SENSE的电流检测采用低侧MOSFET的R DS（日）
        负电流限制
        锁存OVP和的UVP
        软启动内部固定在3毫秒
        可选脉冲跳跃在轻负载
        可选择无声响（33千赫）脉冲跳跃模式
        支持陶瓷输出电容
        输出电压纹波补偿
    的VTT LDO和VTTREF
        2 apk文件的LDO与折返的VTT的
        VTT的远程传感
        高阻VTT输出在S3
        支持陶瓷输出电容
        ± 15 mA低噪声缓冲基准

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