NDT452AP

概述
功率的SOT P沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，尤其是量身定制，以尽量减少通态电阻，并提供出色的开关性能。 这些器件特别适合于低电压应用，如笔记本电脑的电源管理和直流电动机的控制。

特点
- 5A - 30V。 的RDS（ON）= 0.065的RDS（ON）= 0.3 W @ VGS = 10V，RDS（ON）= 0.1的RDS（ON）= 0.3 W @ VGS = 4.5V。
极低的RDS（ON）的高密度的单元设计。
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力。

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