NDT2955

概述

这60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压海沟过程。 它已被优化的电源管理plications。

特点

- 2.5A，- 60V
R DS（ON）=300米W @ V GS = - 10V
R DS（ON）=500米W @ V GS = 4.5V
非常低R DS（ON），高密度的单元设计
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力。

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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