NDS8425

概述
这N沟道2.5V指定的MOSFET使用飞兆半导体的先进功率沟槽过程中，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能低栅极电荷。

这些设备都被设计在一个非常小的封装中提供出色的功耗。

特点
7.4，20 V
R DS（ON）= 0.022 W @ V GS = 4.5V
R DS（ON）= 0.028 W @ V GS = 2.7V
开关速度快
低栅极电荷（11nC典型）
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力

应用/框图（S）
DC / DC转换器
负荷开关

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