概述
这些双P沟道增强模式功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的沟槽技术生产的。 这非常高的密度过程,旨在最大限度地减少通态电阻,提供坚固耐用,性能可靠和快速开关。 本产品特别适合于要求低电流高边开关的低电压应用。
特点
-0.34一个,-50 V。
R DS(ON)= 5个W,V GS = 10 V
R DS(ON)= 7 W @ V GS = -4.7 V
低栅极电荷
开关速度快
高性能低R DS(ON)的沟槽技术
SuperSOT 商标 -6包:体积小(比标准SO - 8小72%);低调(1mm厚)
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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