NDC7001C

概述

这些双N＆P沟道增强模式场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，旨在最大限度地减少通态电阻，提供坚固耐用，性能可靠和快速开关。 这些器件特别适合于低电压，低电流，开关电源应用。

特点

Q1：0.51A，60V
的R DS（ON）= 2 W @ V GS = 10V
的R DS（ON）= 4 W @ V GS = 4.5V
问题2：60V - 0.34A，
的R DS（ON）= 5个W，V GS = - 10V
的R DS（ON）= 7.5 W @ V GS = - 4.5V
高饱和电流
低R DS（ON），高密度的单元设计。
专有SuperSOT TM -6包装设计，优越的热性能和电气功能使用铜引线框

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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