MTP3055VL

概述

这N沟道逻辑电平MOSFET已经专门为低电压，高开关应用，即电源和功率电机控制速度。
这种MOSFET的开关速度更快，并低于具有可比性的RDS（ON）规格的其他MOSFET的栅极电荷。
结果是MOSFET，很容易和更安全的驾驶（即使在非常高的频率）。

特点

12A，60V
R DS（ON）= 0.18 m宽的V GS = 5V
在高温下的临界直流电气参数。
低驱动的要求，允许直接从逻辑驱动器。 VGS（TH）<2 V。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以消除外部齐纳二极管，瞬态抑制器的需要。
175℃的最高结温评级。

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