L6747C

说明

该L6747C是一个灵活的，高频率dualdriver专门设计用于驱动同步整流降压拓扑结构连接的N沟道MOSFET。

与ST的PWM控制器相结合，驱动程序允许完整的现代大电流的CPU，并为DC - DC转换稳压器的一般解决方案的实施。

嵌入的L6747C为高侧和低侧MOSFET的高电流驱动器。 该器件接受5灵活的电源V至12五

这使高侧和lowside栅极驱动电压，以最大限度地提高系统效率的优化。

反直通管理防止同时进行的高侧和低侧MOSFET，并与自适应死区时间控制相结合，最大限度地减少了LS体二极管的导通时间。

初步的L6747C过压保护功能，保护负载免受危险过电压由于MOSFET在启动时失败。

司机可在一个3 × 3毫米封装VFDFPN8。

主要特点

    同步整流转换器的双MOSFET驱动器
    高驱动外部MOSFET电流快速开关
    高频工作
    使能引脚
    自适应死区时间管理
    灵活的栅极驱动器：5 V至12 V兼容
    高阻抗（高阻抗）管理输出级关断
    初步过压（OV）保护
    VFDFPN8 3x3毫米封装

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