说明
该控制器是一个集成电路BCD5(的BiCMOS - DMOS的,第5版)捏造,提供完整的控制逻辑和保护高性能降压DC - DC和niPoL转换器上实现。
它是设计用于驱动同步整流降压拓扑结构的N沟道MOSFET。 转换器的输出电压可精确调节到60万千瓦为± 0.8%的最高容忍。 如果一个外部参考使用,它将被转移除以2的误差放大器倪输入,按照规范的DDR内存。
内部电阻分压器和一个电压缓冲器允许达到1%上都VTT和Vttref准确性。 它可能提供一个从0V至2.5 V外部基准,以满足DDRI和DDRII规格。 输入电压范围可以从1.8 V至14 V,而电源电压范围从4.5 V至14五高峰值电流栅极驱动器快速切换到外部电源部分提供,且输出电流可在超过20答:
PWM占空比的范围可以从0%到100%之间,最小导通时间(T 对 , 分 )低于100毫微秒的开关频率非常低的占空比和高转换成为可能。 该器件提供电压模式控制,其中包括一个可选择的频率振荡器(250 kHz或500 kHz)的。
误差放大器的特点10 MHz增益带宽产品和5 V /μs压摆率,允许以实现快速瞬态响应的高转换带宽。 该设备监控)目前使用的 R DS(两个高边和低边MOSFET(S)和消除需要一个电阻电流感应,保证有效的过电流保护在所有的应用条件。
必要时,两种不同的电流限制保护,可通过外部设置两个外部电阻器。 在软启动阶段恒流后提供保护,同时软启动装置在进入打嗝模式过电流情况。 该转换器可以随时吸收电流。 其它特点是功率好,不锁定过电压保护,反馈断线和热停机。 该HTSSOP16包允许真正紧凑型DC / DC转换器的实现。
主要特点
输入电压范围从1.8V到14V
电源电压范围为4.5V到14V
可调输出电压低至0.6V,± 0.8%精度过电压和温度(0˚℃〜125˚三)
固定频率电压模式控制
T在低于100ns的
0%至100%的占空比
V DDR输入感
调节V和V TTREF特在1%的V DDQ的
软启动和抑制
嵌入式高电流驱动
预测反交叉传导控制
可编程的高侧和低侧的 R DS(上)的意义过电流保护
可选择的开关频率250KHz/500KHz
电源良好输出
吸入/ DDR内存和终止供应源的能力
过电压保护
热关断
包装:HTSSOP16
全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价
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