特点
逻辑电平栅极驱动
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展的安全工作区
漏电流:10μA(最大)@ V DS = 200V
下的R DS(ON):0.145 W(典型值)
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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