HUF75639S3S

概述
这些N沟道功率MOSFET的制造，使用创新的UltraFET ®过程。 这种先进的工艺技术达到每硅片面积尽可能最低的导通电阻，造成出色的表现。 此设备是能够承受高能量，在雪崩模式和二极管具有非常低的反向恢复时间和储存的电荷。 它是专为电源效率是非常重要的应用场合，如开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低电压总线开关，在便携式和电池供电产品的电源管理，使用。

特点
56A，100V
仿真模型
温度补偿的PSPICE ®和马刀™电气模型
SPICE和马刀的热阻抗模型
峰值电流和脉冲宽度曲线
统计研究所的评价曲线

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