HGTP7N60B3D

描述

这是HGTP7N60B3D HGT1S7N60B3DS MOS的凶杀案,高电压开关器件mosfet结合的最佳特征和双极晶体管。这些设备的高输入阻抗和低场效应晶体管导通状态的双极晶体管导通损失。较低的电压降的导通状态变化之间只有25°C和适度150°C在额定电流。TA49190发育类型的IGBT是。用于anti-parallel二极管和IGBT的RHRD660(TA49057)。

是理想的IGBT的许多高电压开关应用操作以中等频率低传导损失的地方是必不可少的,如:交流和直流电机控制、电力供应以及驱动继电器和接触器、办公自动化设备。

TA49191从前发育类型。

特征

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