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产品型号：

HGTP10N120BN

产品名称：35A条，1200伏，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT的（35A条，1200伏，不扩散核武器条约系列?沟道绝缘栅双极型晶体管）
生产厂商：FAIRCHILD
封装类别：TO-220
产品批号：10+
产品单价：    
库存数量：有库存
运费详情：国内快递包邮，国际快递包邮
付款方式：支付宝，微信，网银支付，公司美金账户
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描述

HGTP10N120BN和HGT1S10N120BNS的HGTG10N120BN Non-Punch,是通过(NPT)IGBT的设计。它们是新成员的MOS封闭的高电压开关IGBT的家庭。结合的最佳特征IGBTs mosfet和双极晶体管。该器件具有高输入阻抗的场效应晶体管和低onstate双极晶体管导通损失。

是理想的IGBT的许多高电压开关应用操作以中等频率低传导损失的地方是必不可少的,如:交流和直流电机控制、电力供应以及驱动继电器和接触器、办公自动化设备。

TA49290从前发育类型。



特征

  • ,1200V 35A = 25°C,牵引力控制系统
  • SOA能力1200V切换
  • 典型��秋天时间。。。。。。。。。.140ns = 150ºC在研究
  • 短路评级
  • 传导损失低
  • 额定雪崩
  • SPICE模型热阻抗
  • 温度补偿SABERTM模型
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