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描述
这是不HGTP5N120BND HGTG5N120BND冲床和不扩散核武器条约》(NPT)——通过IGBT的设计。它们是新成员的MOS封闭的高电压开关IGBT的家庭。结合的最佳特征IGBTs mosfet和双极晶体管。该器件具有高输入阻抗的场效应晶体管和低导通状态的双极晶体管导通损失。IGBT的TA49308用的是开发类型。二极管的TA49058用的是开发类型(零件号RHRD6120)。
是理想的IGBT的许多高电压开关应用操作以中等频率低传导损失的地方是必不可少的,如:交流和直流电机控制、电力供应以及驱动继电器和接触器、办公自动化设备。
TA49306从前发育类型。
特征
长进,1200V = 25°C,牵引力控制系统
SOA能力1200V切换
典型的秋天时间。。。。。。。。。。。。。。。。175ns = 150°C在研究
短路评级
传导损失低
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