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描述
是一种MOS封闭的HGTG30N60B3高压开关器件mosfet结合的最佳特征和双极晶体管。该器件具有高输入阻抗的场效应晶体管和低导通状态的双极晶体管导通损失。较低的电压降的导通状态变化之间只有25°C和适度150°C。
是理想的IGBT的许多高电压开关应用操作以中等频率低传导损失的地方是必不可少的,如:交流和直流电机控制、电力供应以及驱动继电器和接触器、办公自动化设备。
TA49170从前发育类型。
特征
60A 600伏特,惊天,= 25°C
SOA能力600伏特转换
典型的秋天时间了。。90ns = 150°C在研究
短路评级
传导损失低 全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价------------------------------------------------------------------------------------------
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