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描述
是一种MOS封闭的HGTG30N60A4高压开关器件mosfet结合的最佳特征和双极晶体管。该器件具有高输入阻抗的场效应晶体管和低导通状态的双极晶体管导通损失。较低的电压降的导通状态变化之间只有25°C和适度150°C。
这IGBT是理想的许多高电压开关应用程序运行在高频段低传导损失的地方是至关重要的。该装置进行了优化,为高频频率切换式电源供应。
TA49343从前发育类型。
特征
在更大的占空比,操作>涵盖课文中
在更大的占空比,200kHz 18A操作
SOA能力600伏特转换
典型的秋天时间。。。。。。。。。。60ns 125°C =在研究
传导损失低
温度补偿SABERTM模型 全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价------------------------------------------------------------------------------------------
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