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描述
HGTG12N60A4和HGT1S12N60A4S9A的HGTP12N60A4是马鞍山,封闭的高电压开关器件mosfet结合的最佳特征和双极晶体管。这些设备的高输入阻抗和低场效应晶体管导通状态的双极晶体管导通损失。较低的电压降的导通状态变化之间只有25°C和适度150°C。
这IGBT是理想的许多高电压开关应用程序运行在高频段低传导损失的地方是至关重要的。该装置进行了优化,为高频频率切换式电源供应。
TA49335从前发育类型。
特征
在更大的占空比,涵盖> 12A操作
在更大的占空比,操作200kHz 9A
SOA能力600伏特转换
典型的秋天时间。。。。。。。。。。。。。。。。。70ns 125°C =在研究
传导损失低
温度补偿SABERTM模型
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